光伏產業中抗pid臭氧發生器製備氧化矽工藝
抗PID晶體矽太陽（yáng）能電池（chí）的製備方（fāng）法，該（gāi）抗PID晶體矽太陽能電池在（zài）矽基片和氮化矽之間製（zhì）備一層氧化矽，從而抗PID的效果，所述氧化矽使用臭氧氧（yǎng）化工藝製備而成。
所述臭氧氧化工藝包括步驟（zhòu）：
1）提供一經過擴散處理後的矽基片（piàn）；
2）對所（suǒ）述矽基片進（jìn）行清洗；
3）將所述矽（guī）基片至臭氧臭氧中，使矽基片（piàn）的擴散（sàn）麵在臭氧中氧化，直至該氧化（huà）作用（yòng）自然停止，得到所需的氧化（huà）矽層。
矽基片清洗包括：使用HF溶液清洗去除所述矽基片表麵的磷矽玻璃（lí）層，所述（shù）HF溶液的體積（jī）濃（nóng）度為2〜8％，清洗溫度為（wéi）10 〜30°C，清洗時間為10〜200s。
所述臭氧由臭氧發生器提供，該臭氧（yǎng）的（de）濃度為5〜100ppm。氧化動作所需的處理時間為3s〜60min，溫度為15〜25°C，得到的所述氧化娃層的厚度為0.6〜2nm。
步驟2）和步驟3）之（zhī）間的間隔時間（jiān）小於30min。
所述臭氧氧化工藝之後，還包括步驟4）：在氧化矽層表麵沉積氮（dàn）化（huà）矽層。所述氮化矽層的厚度在80〜90nm之間（jiān）。
所述步驟3）和步驟4）之間的間隔時間小於30min，或者（zhě）當所述步驟（zhòu）3）和步驟（zhòu）4）之間的間隔時間超過30min時，對所述矽基片實施一清洗動作，以去除（chú）表麵的自然氧化層。
該步驟基（jī）於蘇州阿（ā）特（tè）斯陽光電力科技有限公司2014-04-03提交的《一（yī）種抗pid晶（jīng）體矽太陽能電池製作方法》
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半導體用高濃度可調（diào）臭氧發生器（qì）
標簽：
臭氧發生器
工藝
氧化矽
pid
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